Kahemõõtmelise hafniumkarbiidi süntees ja elektrokeemilised omadused.

Mkseenide ettevalmistamine saadakse peamiselt Al -aatomite selektiivse söövitamise teel maksimaalse faasimaterjaliga Al A -positsiooniga HF -happe, NH4HF2 lahuse, LIF ja HCl segu lahuse ning madala eutektilise segatud soola keskkonnas. Kuna üleminekumetallidel ZR ja HF on keeruline moodustada maksimaalset faasi A -ga, pole siiani mingit aruannet Mxenes materjalide kohta. Võrreldes ZR -seeria materjalidega on HF -lamelli karbiidist keerulisem saada ühe faasi, teadlasi, mis põhinevad lahendusmeetodil, et häälestada ühiku raku kihi mõtlemiseks, väikese koguse SI -i kasutuselevõtt Al -is, kasutades SPS -i meetodit Uut tüüpi tahke materjali sünteesimiseks tahkes lahuses eelkäijaga, HF happe söövitusainega, realiseeriti selektiivse diskrimineerimise Al (Si) - C struktuuriühikuga, saadi esimest korda HF kahemõõtmeline mxeeni materjal. Energia sidumise ja aatomlaengu arvutamise abil selgitati välja sidumise mikromehhanism, mis soodustab vesinikfluoriinhapete eemaldamise protsessi. Uute kahemõõtmeliste karbiidimaterjalide HF-seeriad on potentsiaalsed rakendused energia salvestamise, laine neeldumise ja optoelektrooniliste seadmete osas. Eeldatakse, et suure mahuga mahutavusega materjale kasutatakse miniatuurse energiavarustussüsteemides, näiteks kosmosesõidukid ja mobiilseadmed.